| 碳化硅陶瓷的放电等离子烧结 |
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| 引用本文： | 张勇,何新波,曲选辉,王玉会. 碳化硅陶瓷的放电等离子烧结[J]. 北京科技大学学报, 2008, 30(12) |
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| 作者姓名： | 张勇 何新波 曲选辉 王玉会 |
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| 作者单位： | 北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083 |
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| 基金项目： | 教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目 ， 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用添加了Al2O3和Y2O3助烧剂的碳化硅微粉为原料,通过放电等离子烧结(SPS)技术快速制备了碳化硅陶瓷. 分析了材料致密化过程,并重点研究了烧结工艺参数对材料致密度和力学性能的影响规律. 结果表明,当SPS工艺参数的烧结温度和压力分别为1600℃和50MPa时,经过5min的烧结,碳化硅陶瓷的致密度可达到99.1%,硬度为HV 2550,断裂韧性达8.34MPa·m1/2,弯曲强度达684MPa.
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| 关 键 词： | 碳化硅陶瓷 放电等离子烧结 致密度 力学性能 |
Spark plasma sintering of silicon carbide |
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| ZHANG Yong,HE Xinbo,QU Xuanhui,WANG Yuhui. Spark plasma sintering of silicon carbide[J]. Journal of University of Science and Technology Beijing, 2008, 30(12) |
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| Authors: | ZHANG Yong HE Xinbo QU Xuanhui WANG Yuhui |
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| Affiliation: | ZHANG Yong,HE Xinbo,QU Xuanhui,WANG Yuhui School of Materials Science , Engineering,University of Science , Technology of Beijing,Beijing 100083,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon carbide ceramic spark plasma sintering(SPS) densification mechanical properties |
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