| 以NiFeNb为新种子层的纳米级坡莫合金薄膜的零场电阻率 |
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| 引用本文： | 刘俊,郑瑞伦,段昌奎,代波.以NiFeNb为新种子层的纳米级坡莫合金薄膜的零场电阻率[J].重庆邮电学院学报(自然科学版),2004,16(3):108-111. |
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| 作者姓名： | 刘俊 郑瑞伦 段昌奎 代波 |
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| 作者单位： | [1]重庆邮电学院，重庆400065 [2]西南师范大学物理学院，重庆400715 [3]中国科学院物理所国家磁性重点实验室，北京100080 |
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| 摘 要： | 以NiFeNb为新种子层，采用直流磁控溅射法制备了具有不同Nb含量(x)、种子层厚度(d)和NiFe厚度(t)的(Ni82Fe18)(1-x)Nbx(dA)／Ni82Fe18(tA)／Ta(30A)纳米级坡莫合金系列膜，并对部分样品进行了中温退火。测量了样品的磁电阻曲线和微结构。从实验角度研究了零场电阻率(p)随z、d、t及退火的变化。结果表明。NiFeNb作为种子层能较大地提高坡莫合金薄膜的ID；一定厚度坡莫合金薄膜的ID极大的最佳工艺条件是x约为27．5％，d约为27．5A；不同Nb含量、种子层厚度等工艺条件引起坡莫合金薄膜具有不同颗粒粒径分布，从而引起4s电子受到的内禀散射、颗粒表面和边界散射及其关系的不同，再加上织构、4s电子球对称性受破坏程度和薄膜均匀程度的不同导致了零场电阻率随工艺条件的变化。
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| 关 键 词： | 新种子层 纳米级 零场电阻率 坡莫合金薄膜 |
Zero field resistivity of nanometer permalloy films with new seed layer NiFeNb |
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| LIU Jun,ZHENG Rui-lun,DUAN Chang-kui,DAI Bo.Zero field resistivity of nanometer permalloy films with new seed layer NiFeNb[J].Journal of Chongqing University of Posts and Telecommunications(Natural Sciences Edition),2004,16(3):108-111. |
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| Authors: | LIU Jun ZHENG Rui-lun DUAN Chang-kui DAI Bo |
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| Institution: | LIU Jun~1,ZHENG Rui-lun~2,DUAN Chang-kui~1,DAI Bo~3 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | new seed layer nanometer zero field resistivity permalloy films |
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