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可应用于四结砷化镓太阳电池的ZnS/MgF_2/SiO_2减反射膜的结构设计
引用本文:盛钰清,涂洁磊,郭腾腾,章威,张流柱,宋冠宇,徐晓壮,颜平远.可应用于四结砷化镓太阳电池的ZnS/MgF_2/SiO_2减反射膜的结构设计[J].云南师范大学学报(自然科学版),2018(2).
作者姓名:盛钰清  涂洁磊  郭腾腾  章威  张流柱  宋冠宇  徐晓壮  颜平远
作者单位:云南师范大学云南省农村能源工程重点实验室;
摘    要:在采用磁控溅射方法分别制备单层ZnS、MgF_2、SiO_2薄膜及表征其折射率基础上,以折射率逐渐减小的三层结构(HML结构)思想,采用TFC光学薄膜软件,设计并模拟了可用于四结砷化镓(GaInP/GaAs/GaInAs/GaInAs)太阳电池的三层ZnS/MgF_2/SiO_2减反射膜系.并分析模拟了窗口层厚度、各膜层厚度和折射率以及光入射角对有效反射率的影响.结果表明:窗口层厚度、SiO_2的折射率和ZnS膜层厚度对有效反射率R_e的影响最为显著;在350~1 800nm宽波段,当窗口层厚度为83nm,膜系厚度分别为57nm、37nm和88nm,且光入射角为0°时,有效反射率Re最小可达3.38%.

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