|
|||||
|
|
| 基于负微分电阻特性的SET/CMOS反相器 | |
| 作者姓名： | 魏榕山 陈寿昌 陈锦锋 何明华 |
| 作者单位： | 福州大学 物理与信息工程学院,福建 福州 350108 |
| 基金项目： | 国家“973”计划项目(2011CB808000);福建省科技厅重大专项(2009HZ0007-1) |
| 摘 要： | 基于单电子晶体管( SET) 和PMOS 管串联产生的负微分电阻( NDR) 特性,提出了一种新型的SET /CMOS 反相器． 该反相器利用NDR 特性与NMOS 负载管的电流－ 电压特性构成两个单稳态点,实现反相功能． 应用HSPICE 仿真器,采用精准的单电子晶体管的子电路模型及22 nm CMOS 预测技术模型对该反相器进行仿真,结果表明: 该反相器的功能正确,具有比传统CMOS 反相器更低的功耗; 与其它单电子反相器相比,该反相器可在室温下实现输出电压全摆幅,且具有较低的传输延迟． |
| 关 键 词： | 单电子晶体管 反相器 HSPICE 仿真 负微分电阻 |
| 收稿时间： | 2011-10-20 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《华南理工大学学报(自然科学版)》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《华南理工大学学报(自然科学版)》下载全文 | |