| 3C-SiC纳米粉烧结制备多孔碳化硅的研究 |
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| 引用本文： | 张常军,陈治明,卢刚. 3C-SiC纳米粉烧结制备多孔碳化硅的研究[J]. 西安理工大学学报, 2004, 20(4): 379-381 |
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| 作者姓名： | 张常军 陈治明 卢刚 |
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| 作者单位： | 西安理工大学,自动化与信息工程学院,陕西,西安,710048 |
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| 摘 要： | 研究了用3C-SiC纳米粉末压制成坯后烧结制备多孔碳化硅的温度和时间工艺参数，采用扫描电子显微镜(SEM)分析了烧结温度和时间对烧结样品平均孔径尺寸的影响，采用X射线衍射(XRD)分析了烧结样品的结构。研究结果表明，在100kPa压力的氩气气氛中和1600℃4h 30min～4h50min的烧结条件下，烧结样品的主要结构是3C-SiC，其他晶型基本消失；烧结样品具有大量的纳米孔，其平均孔径约为80～90nm。
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| 关 键 词： | 碳化硅纳米粉 烧结 多孔碳化硅 纳米结构 |
| 文章编号： | 1006-4710(2004)04-0379-03 |
| 修稿时间： | 2004-03-01 |
Research on Nanometer Porous SiC Sintered Using 3C-SiC Nano-Powder |
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| ZHANG Chang-jun,CHEN Zhi-ming,LU Gang. Research on Nanometer Porous SiC Sintered Using 3C-SiC Nano-Powder[J]. Journal of Xi'an University of Technology, 2004, 20(4): 379-381 |
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| Authors: | ZHANG Chang-jun CHEN Zhi-ming LU Gang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC nano-powder sintering nanometer porous SiC nano structure |
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