原位可见紫外反射谱研究电沉积AgInSe2薄膜上的电化学振荡现象 |
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引用本文: | 谢少艾,尤金跨. 原位可见紫外反射谱研究电沉积AgInSe2薄膜上的电化学振荡现象[J]. 上海师范大学学报(自然科学版), 2001, 30(2): 58-62 |
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作者姓名: | 谢少艾 尤金跨 |
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作者单位: | 1. 上海交通大学化学化工学院,上海200240 2. 厦门大学化学系,厦门,361005 |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(29170126) |
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摘 要: | 研究了电沉积制得的AgInSe2半导体薄膜上过氧化氢阴极还原过程中产生的电化学振荡行为,借助现场紫外一可反射谱观察分析了振荡期间的薄膜表面的变化,对影响该振荡行为的一些因素如溶液组成,传质,光照等进行分析,为银铟硒半导体薄膜发展成为光电传感器提供了一定的理论和实践基础。
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关 键 词: | AgInSe2半导体 电化学振荡 阴极还原 原位紫外-可见反射谱 |
文章编号: | 1000-5137(2001)02-0058-05 |
修稿时间: | 1999-12-29 |
The Studies of the Electrochemical Oscillation by in situ UV-visible ReflectionSpectra on the El ectrodeposited AgInSe2 Thin Films |
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Abstract: | |
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Keywords: | |
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