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| ZnSe和CuXSe2(X=Al,Ga,In)结构和光学性质的研究 | |
| 引用本文： | 董玉静,高延利.ZnSe和CuXSe2(X=Al,Ga,In)结构和光学性质的研究[J].重庆工商大学学报(自然科学版),2017,34(2):84-89. |
| 作者姓名： | 董玉静 高延利 |
| 作者单位： | 信阳学院 理工学院，河南 信阳 464000 |
| 摘 要： | 利用赝势平面波基组的密度泛函理论方法,首先优化太阳能材料ZnSe和CuXSe_2(X=Al,Ga,In)的晶体结构,得到晶格参数、键长,并预测了CuXSe_2带隙和光学性质,带隙按照Al→Ga→In依次减小,但晶格参数和形变参数依次增加;通过光学性质中介电函数、吸收系数,反射率和光电导率分析发现,吸收系数的最强峰都在紫外区域,在3种晶体中光学性能按照Al→Ga→In依次增强。 |
| 关 键 词： | 密度泛函方法 半导体 带隙 光学性质 |
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