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硅单晶的表面光伏效应
作者姓名:连世阳  沈顗华  陈朝  刘中平
作者单位:澳门大学物理系(连世阳,沈顗华,陈朝),澳门大学物理系(刘中平)
摘    要:本文认为,样品对光的吸收长度远小于样品的厚度,P型和n型样品的表面光伏符号总是相反;当样品的光吸收长度相当于样品的厚度,光照于硅的粗磨面时,表面光伏谱有一极值,极值点对应着硅的间接吸收,可用于测量Si的禁带宽度。此外,还对不同的导电类型和表面处理的硅片,计算其总的表面光伏,所得结果与实验基本一致。

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