桶式外延炉吹扫工艺改善外延层电阻率均匀性的研究 |
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引用本文: | 玉文林,薛兵,殷海丰.桶式外延炉吹扫工艺改善外延层电阻率均匀性的研究[J].甘肃科技,2013,29(6):34-36. |
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作者姓名: | 玉文林 薛兵 殷海丰 |
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作者单位: | 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220 |
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摘 要: | 随着硅外延片在器件制造领域应用的不断扩展,对用于制作器件的外延片的要求也越来越高,其中最重要的是准确控制外延层电阻率及其均匀性。由于衬底自掺杂与系统杂质因素的影响,使得外延层电阻率的控制十分困难,同时电阻率均匀性也大大降低。通过对外延生长过程中外延层表面气体边界层的原理进行分析,提出了变流量吹扫工艺,减少边界层中杂质浓度,制备出电阻率均匀性好的外延片。
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关 键 词: | 变流量吹扫 硅外延 电阻率 边界层 自掺杂 |
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