| 直波导耦合输出AlGaInAs多量子阱环形激光器研究 |
| |
| 作者姓名： | 李献杰 齐利芳 郭维廉 于晋龙 赵永林 蔡道民 尹顺政 毛陆虹 |
| |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第13研究所, 石家庄 050051;
天津大学电子信息工程学院, 天津 300072 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号: 60706035)和国家重点基础研究发展计划(编号: 2003CB314901)资助项目 |
| |
| 摘 要： | 采用InP基InAlGaAs多量子阱激光器外延材料结构, 利用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术和聚酰亚胺介质平坦化工艺, 研制了多量子阱半导体环形激光器样品. 该器件通过加正偏压的环形结构谐振腔实现光激射, 然后借助紧邻的直线波导耦合将光信号输出. 环形谐振腔直径为700 μm, 波导宽度为3 μm. 用光纤对准直线波导端口耦合测试了环形激光器的光功率-电流特性曲线和激射光谱, 其阈值电流为120 mA, 在注入电流160 mA时从直波导耦合输出得到激射光谱的中心波长为1602 nm, 并结合光功率-电流特性曲线对环形激光器中的工作模式进行了初步分析.
|
| 关 键 词： | 多量子阱 环形激光器 直波导 双稳态 |
| 收稿时间： | 2008-11-30 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《科学通报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《科学通报》下载全文 |
|
