| 新型X射线影像存储屏的研究 |
| |
| 引用本文： | 王永生,孟宪国,何大伟.新型X射线影像存储屏的研究[J].科学通报,2009,54(20):3079-3082. |
| |
| 作者姓名： | 王永生 孟宪国 何大伟 |
| |
| 作者单位： | 北京交通大学光电子技术研究所, 发光与光信息技术教育部重点实验室, 北京 100044 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号: 60877025)、北京市科技计划项目(编号: Z08000303220803)和北京自然科学基金(编号: 2092024)和国家杰出青年科学基金(批准号: 60825407)资助项目 |
| |
| 摘 要： | 室温下在Eu2+掺杂的BaBrCl中, 发现经X射线辐照后的光激励发光(PSL). 光激励谱和差吸收谱(DAS)基本相同, 均为峰值波长位于550和675 nm处的宽带谱, 表明经X射线辐照后F心形成. 这使得用半导体激光器代替气体激光器作为读出光源成为可能. PSL强度与X射线辐照剂量呈线性关系, 转化效率为BaFBr:Eu富士IP板的29%.
|
| 关 键 词： | 光激励发光 色心 电子俘获 |
| 收稿时间： | 2008-10-27 |
|
| 点击此处可从《科学通报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《科学通报》下载免费的PDF全文 |
|
