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| 掺杂铌酸锂晶体体全息存储的研究 | |
| 引用本文： | 杨飞,蔡子亮.掺杂铌酸锂晶体体全息存储的研究[J].科技信息,2008(33):39-39. |
| 作者姓名： | 杨飞 蔡子亮 |
| 作者单位： | 许昌学院电气信息工程学院; |
| 摘 要： | 用提拉法生长的Ce（0.09%）,Cu（0.01%）,LiNbO3晶体和Zn（3%）,Fe（0.09%）,LiNbO3晶体,切割后分别对晶体极化氧化处理,对晶体的抗光致散射能力和衍射效率测试后,分别进行单幅图像存储和多幅图像的复用存储。实验表明,晶体的抗光致散射能力和衍射效率直接影响体全息存储的效果。 |
| 关 键 词： | 铌酸锂晶体 体全息存储 角度复用 |
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