| nSi/pSi0.8Ge0.2/nSi与nSi/pSi/nSi晶体管直流特性的比较 |
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| 引用本文： | 安俊明,李蓉萍. nSi/pSi0.8Ge0.2/nSi与nSi/pSi/nSi晶体管直流特性的比较[J]. 内蒙古大学学报(自然科学版), 2002, 33(6): 638-641 |
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| 作者姓名： | 安俊明 李蓉萍 |
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| 作者单位： | 1. 内蒙古大学理工学院物理学系,内蒙古,呼和浩特,010021;中国科学院半导体研究所,北京,100083
2. 内蒙古大学理工学院物理学系,内蒙古,呼和浩特,010021 |
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| 基金项目： | 内蒙古大学青年基金(ND9902) |
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| 摘 要： | 采用一维有限差分方法,对生长在Si(001)衬底上的Si0.8Ge0.2应变基区异质结双极晶体管(HBT)与Si同质结双极晶体管(BJT)的直流特性进行了数值分析;给出了高斯掺杂情形下,基区中Ge含量为0.2的Si0.8Ge0.2HBT与Si同质双极结晶体管(BJT)的共射极电流放大系数图、Gummel图、平衡能带图和基区少子分布图,对比结果表明基区中Ge的引入有效地改善了晶体管的直流放大性能;其次对Si0.8Ge0.2HBT与SiBJT的大电流特性进行了比较,证实了在大电流下异质结基区少子向集电区扩展引起的异质结势垒效应,使Si0.8Ge0.2HBT的直流放大系数比SiBJT的放大系数下降更快这一实验结果.
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| 关 键 词： | 异质结 计算方法 晶体管 增益 |
| 文章编号： | 1000-1638(2002)06-0638-04 |
| 修稿时间： | 2002-01-14 |
A Comparison of Direct Current Characteristics between nSi/pSi0.8Ge0.2/nSi and nSi/pSi/nSi Transistors |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | heterojunction computational methods transistors gain |
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