| NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结的隧穿磁电阻 |
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| 引用本文： | 朱林,陈卫东,谢征微.NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结的隧穿磁电阻[J].四川师范大学学报(自然科学版),2005,28(6):683-686. |
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| 作者姓名： | 朱林 陈卫东 谢征微 |
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| 作者单位： | 四川师范大学,物理与电子工程学院,四川,成都,610066;四川师范大学,物理与电子工程学院,四川,成都,610066;四川师范大学,物理与电子工程学院,四川,成都,610066 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（10447004）、教育部科学研究重点基金和四川省教育厅重点科研基金资助项目 |
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| 摘 要： | 在NM/FI/FI/NM型双自旋过滤隧道结(NM为非磁金属,FI和后面的NI分别为铁磁和非磁绝缘体或半导体)的基础上,提出一种NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结.基于自由电子近似并利用转移矩阵方法,对NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结在不同偏压下的隧穿磁电阻TMR与FI层厚度及NI层厚度的关系做了理论研究.计算结果表明,在NM/FI/NI/FI/NM型双自旋过滤隧道结中仍可以得到很大的TMR值.
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| 关 键 词： | 隧穿磁电阻 非磁绝缘(半导)体间隔层 双自旋过滤隧道结 |
| 文章编号： | 1001-8395（2005）06-0683-04 |
| 收稿时间： | 2005-01-19 |
| 修稿时间： | 2005年1月19日 |
Tunnelling Magnetoresistance in NM/FI/NI/FI/NM Double Spin Filter Tunnel Junctions |
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| ZHU Lin,CHEN Wei-dong,XIE Zheng-wei.Tunnelling Magnetoresistance in NM/FI/NI/FI/NM Double Spin Filter Tunnel Junctions[J].Journal of Sichuan Normal University(Natural Science),2005,28(6):683-686. |
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| Authors: | ZHU Lin CHEN Wei-dong XIE Zheng-wei |
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| Institution: | College of Physics and Electronic Engineering, Sichuan Normal University, Chengdu 610066, Sichuan |
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| Abstract: | On the basis of NM/FI/FI/NM double spin filter tunnel junction this paper proposes a new type of double spin filter tunnel junction,NM/FI/NI/FI/NM,by inserting a NI layer between two FIs in the old one,NM/FI/FI/NM.Here TMR,NM,FI and NI stand for the tunnelling magnetoresistance,nonmagnetic metal,ferromagnetic and nonmagnetic insulators(semiconductors),respectively.The effect of thickness of FI and NI on the TMR is studied theoretically in this work under a few biases,using the transfer matrix method in free electron approximation.The results show that in the new type of double spin filter tunnel junction a large TMR can still be achieved under suitable choice of the thickness. |
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| Keywords: | Tunnelling magnetoresistance Nonmagnetic insulator(semiconductor) interlayer Double spin filter tunnel junction |
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