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| 硅—三氧化二铝界面的辐射效应 | |
| 引用本文： | 林理彬 ,田景文 ,熊文树 ,唐方元 ,林茂清 ,陈伯英.硅—三氧化二铝界面的辐射效应[J].四川大学学报(自然科学版),1983(2). |
| 作者姓名： | 林理彬 田景文 熊文树 唐方元 林茂清 陈伯英 |
| 摘 要： | 本文研究了电子束辐照下的Si—Al_2O_3结构的辐射效应,测试了不同能量、不同剂量及剂量率的电子辐照前后的C—V特性。实验结果说明:电子辐射使MAS结构的氧化层产生负电荷,在Si—Al_2O_3界面形成快界面态。我们认为引起这种变化的主要原因是由于电子的轰击引起了位移效应、电离效应所致,同时也引起了界面附近硅中杂质浓度的再分布. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |