氟化非晶碳氢薄膜的红外结构及其电学特性 |
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引用本文: | 狄小莲,辛煜,黄松. 氟化非晶碳氢薄膜的红外结构及其电学特性[J]. 苏州大学学报(医学版), 2003, 19(4): 68-73 |
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作者姓名: | 狄小莲 辛煜 黄松 |
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作者单位: | 苏州大学物理科学与技术学院,苏州大学物理科学与技术学院,苏州大学物理科学与技术学院 江苏苏州 215006,江苏苏州 215006,江苏苏州 215006 |
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基金项目: | 江苏省薄膜材料重点实验室资助项目(T2108102) |
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摘 要: | 通过感应耦合等离子体(ICP)化学气相沉积方法并利用C4F8和H2的混合气体制备了氟化非晶碳氢(a C:F,H)薄膜.使用红外光谱仪分析了薄膜的结构.研究了金属Al/a C:F、H/SiMIS结构在不同环境光和不同频率下的电容 电压(C V)特性.红外结果表明,在800cm~1800cm-1和2700~3100cm-1的波数范围内,薄膜存在大量的C——C、C—F和C—H的振动结构.从薄膜的C V曲线的计算结果表明,薄膜当中的缺陷电荷约为1.07×1010cm-2,这些电荷主要局域在C——C双键周围 同时,由于界面陷阱电荷的存在,使得C V曲线随着测试频率的增加向负偏置方向偏移.
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关 键 词: | 氟化非晶碳氢薄膜 红外分析 薄膜结构 电学特性 C-V曲线 介电常数 感应耦合等离子体化学气相沉积法 |
文章编号: | 1000-2073(2003)04-0068-06 |
修稿时间: | 2003-05-20 |
Infrared structure and electrical characteristics of the fluorinated amorphous hydrocarbon film |
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Abstract: | |
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Keywords: | fluorinated amorphous hydrocarbon film Fourier-Transform Infrared Spectroscopy C-V curve |
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