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| (Si, Er)双注入单晶硅近红外光发射 | |
| 引用本文： | 徐飞,肖志松,张通和,程国安,易仲珍,曾宇昕,顾岚岚.(Si, Er)双注入单晶硅近红外光发射[J].北京师范大学学报(自然科学版),2001,37(4):476-481. |
| 作者姓名： | 徐飞 肖志松 张通和 程国安 易仲珍 曾宇昕 顾岚岚 |
| 作者单位： | 1. 北京师范大学低能核物理研究所, 2. 南昌大学材料科学与工程系, 3. 复旦大学 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;6970061; |
| 摘 要： | 利用金属蒸气真空弧离子源，将硅和铒离子先后注入到单晶硅中，经快速退火制备出（Si,Er）双注入单晶硅发光薄膜，RBS分析表明铒原子分接受10％，即原子浓度约10^21cm^-3，XRD分析发现，随着Er注量增加，退火态样品中ErSi2相增多，显微结构分析表明，注量条件影响辐照损伤程度、物相变化和表面显微形貌，而这些结构变化将直接决定（Si,Er）双注入单晶硅发光薄膜近红外区光致发光。 |
| 关 键 词： | 离子注入 双注入 铒掺杂 光发射 单晶硅 |
| 修稿时间： | 2000年10月16日 |
NEAR-INFRARED LIGHT EMISSION FROM SINGLE CRYSTAL SILICON DUALLY IMPLANTED WITH ERBIUM AND SILICON |
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| Abstract: | |
| Keywords: | erbium ion implantation photoluminescence |
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