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紫外写入制备普通单模光纤光栅
引用本文:王庆亚,谢世仲.紫外写入制备普通单模光纤光栅[J].吉林大学自然科学学报,1996(2):69-70.
作者姓名:王庆亚  谢世仲
摘    要:采用高压低温掺氢技术提高了普通单模光纤的光敏特性,利用相位掩膜法,通过紫外写入的方式,在普通含锗光纤上制备了光纤光栅,获得的Bragg反射波长为1552nm,峰值反射率约48%,半高宽约1.2nm。

关 键 词:相位掩膜  光纤光栅  单模光纤  光敏特性  紫外写入
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