首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

GaP:N发光二极管深能级对发光特性的影响
作者姓名:苏锡安 高瑛
摘    要:测量了GaP:N绿色发光二管老化前后的可见和近红外发光光谱。从谱中可见,者化后的590nm和1260nm发光带的发光强度较老化前明显增强,650nm有新的发光带。研究究了老化产生的深能级的来源及对LED发光特性的影响。

关 键 词:发光二极管 深能级 电致发光 半导体 磷化镓
本文献已被 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号