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短波长In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料的LP-MOVPE生长
引用本文:安海岩,杨树人,秦福文,王本忠,刘式墉. 短波长In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料的LP-MOVPE生长[J]. 吉林大学学报(理学版), 1994, 0(3)
作者姓名:安海岩  杨树人  秦福文  王本忠  刘式墉
作者单位:集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,吉林大学电子工程系
摘    要:本文研究了用低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)技术,以三申基镓(TMGa)、三甲基铟(TMIn)为Ⅲ族源,AsH_3和PH_3为Ⅴ族源,在(100)方向掺S的n ̄+InP衬底上生长短波长In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料的生长条件,并用双晶X射线衍射(DCD)和光荧光(PL)对不同条件下生长的短波长In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料进行了表征。

关 键 词:低压金属有机化学气相外延,短波长,In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)

Shortwavelength In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y) Material Growth by LP-MOVPE
An Haiyan,Yang Shuren,Qin Fuwen,Wang Benzhong,Liu Sliiyong. Shortwavelength In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y) Material Growth by LP-MOVPE[J]. Journal of Jilin University: Sci Ed, 1994, 0(3)
Authors:An Haiyan  Yang Shuren  Qin Fuwen  Wang Benzhong  Liu Sliiyong
Abstract:
Keywords:low pressure metalorganic vapour epitaxy  shortwavelength  In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)
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