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| 采用肖特基二极管测量外延层杂质分布 | |
| 作者姓名： | 万怡宏 朱纯孝 |
| 作者单位： | 北京大学电子仪器厂半导体专业 70届工农兵学员(万怡宏)，北京大学电子仪器厂半导体专业 70届工农兵学员(朱纯孝) |
| 摘 要： | 气相化学反应的硅外延生长,被广泛地用来制造半导体集成电路、晶体管及其它各种半导体器件。硅外延生长的电阻率或杂质浓度对于上述应用的电学参数影响很大,如击穿电压、收集极串连电阻都是由它直接决定的。另外,新发展起来的超高速逻辑电路等则要求外延生长层在3μ左右,所以更必须注意埋层的反扩散、自身掺杂等影响引起的外延层深度方向的杂质浓度分布。 目前,我厂采用的半经验的三探针法是利用点接触二极管击穿来测量外延层电阻率的。这一间接地决定杂质浓度的方法虽然是非破坏性的。但是,不准确,无法测量外延层较薄的片子,而且它测出的只… |
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