In_2O_3-10SnO_2陶瓷中In_4Sn_3O_(12)与富Sn析出相特征

以SnO_2质量分数为10%的共沉淀ITO粉为原料,在1 600℃氧气氛下烧结制备ITO陶瓷,采用X线衍射、电子探针、透射电子显微镜、扫描电子显微镜对其物相组成、元素分布和微观结构进行研究。研究结果表明:在In_2O_3:Sn晶粒内析出纳米尺寸的体心立方结构的富Sn相,晶粒边缘内侧出现低Sn浓度的无析出带,其三晶交界处生成In_4Sn_3O_(12)晶粒;In_2O_3:Sn晶内富Sn析出相按照从晶粒中部到晶界边缘尺寸逐渐减小、排布由疏到密的的规律分布;随着保温时间的延长,In_4Sn_3O_(12)晶粒尺寸、In_2O_3:Sn晶内的富Sn析出相尺寸和无析出带宽度增大。