| 基于SOI工艺下600V LDNMOS的设计与分析 |
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| 引用本文： | 黄世震,翁 坤.基于SOI工艺下600V LDNMOS的设计与分析[J].福州大学学报(自然科学版),2013,41(1):34-37. |
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| 作者姓名： | 黄世震 翁 坤 |
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| 作者单位： | 福州大学福建省微电子集成电路重点实验室，福建 福州 350002 |
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| 摘 要： | 基于SOI工艺,运用SILVACO公司的工艺仿真(Athena)和器件仿真(Atlas)模拟软件,结合实际流片测试结果完成对600 V LDNMOS的设计和器件性能分析.整个器件采用环形版图结构,以优化器件的横向尺寸,漏端漂移区通过渐变掺杂技术(VLD)调节器件表面横向电场分布,并在漂移区上方加入一定厚度的槽氧层,从而增大器件的源漏击穿电压.流片测试结果(Vth=1.7 V,Idsat=48 mA,BV=550 V)表明,器件的各项指标基本达到预期目标,实现了设计和分析的目的.
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| 关 键 词： | SOI LDNMOS 流片 击穿电压 |
The design and analysis of 600V LDNMOS based on SOI technology |
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| HUANG Shi-zhen,WENG Kun.The design and analysis of 600V LDNMOS based on SOI technology[J].Journal of Fuzhou University(Natural Science Edition),2013,41(1):34-37. |
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| Authors: | HUANG Shi-zhen WENG Kun |
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| Institution: | (Fujian Key Laboratory of Microelectronics and Integrated Circuits,Fuzhou University,Fuzhou,Fujian 350002,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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