| 多晶半导体三碱光电阴极厚度研究 |
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| 引用本文： | 常本康.多晶半导体三碱光电阴极厚度研究[J].南京理工大学学报(自然科学版),1993(4):10-13. |
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| 作者姓名： | 常本康 |
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| 作者单位： | 电子工程与光电技术学院 |
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| 摘 要： | 该文利用多晶半导体三碱光电阴极量子产额公式,研究了光电阴极厚度D与光吸收系数α_T(hv)和光电子逸出深度L的关系,指出阴极厚度与光电阴极光谱响应峰值位置有关。对第一类阴极,厚度应为30nm左右。对第二类阴极则为90nm。预计可通过光电阴极光谱响应峰值位置设计光电阴极厚度。研究结果首次定量给出:随着光电子逸出深度和入射光子波长的增加,光电阴极厚度将增加。如果L在40～55nm之间,则对1.0μm敏感的阴极厚度应在120nm左右。
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| 关 键 词： | 光电阴极 量子产额 三碱阴极 |
A Study on Thickness of Polycrystalline Semiconductor Multialkali Photocathode |
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| Chang Benkang School of Electronic Engineering and Optoelectronic Technology.A Study on Thickness of Polycrystalline Semiconductor Multialkali Photocathode[J].Journal of Nanjing University of Science and Technology(Nature Science),1993(4):10-13. |
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| Authors: | Chang Benkang School of Electronic Engineering and Optoelectronic Technology |
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| Institution: | Chang Benkang School of Electronic Engineering and Optoelectronic Technology |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | photocathode thickness escaped depth quantum yields light optical absortion |
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