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| 5μm封闭硅栅高速CMOS电路 | |
| 引用本文： | 张利春,倪学文,沈悌明,阎桂珍,张录,吉力久,冯初光,张蔷.5μm封闭硅栅高速CMOS电路[J].北京大学学报(自然科学版),1985(5). |
| 作者姓名： | 张利春 倪学文 沈悌明 阎桂珍 张录 吉力久 冯初光 张蔷 |
| 作者单位： | 北京大学计算机科学技术系 (张利春，倪学文，沈悌明，阎桂珍，张录，吉力久)，北京半导体器件五厂 (冯初光)，北京半导体器件五厂(张蔷) |
| 摘 要： | 本文报导了沟道长度为5μm的高速硅栅CMOS电路,门电路平均延迟时间为10nS,触发器最高工作频率为30—40MHz。文中给出了CAD模拟计算结果和工艺措施,对高速CMOS电路作了初步研究。 |
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