硼对a—Si:H薄膜中氢含量的影响 |
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作者姓名: | 徐进章 宋志忠 |
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作者单位: | 兰州大学现代物理系(徐进章),兰州大学物理系(宋志忠) |
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摘 要: | 应用核反应分析法(NRA)测量了反应溅射法制备的a-SiH(B)薄膜中B和H的含量.结果表明:当掺杂比率Yg(=[B2H2]/([Ar]+[H2]))由10-6增大到1.4×10-2时,样品中的硼含量cB由1.0×1018线性增大到1.4×1022atcm-3;而氢含量的变化分为三个区域:在微掺硼情况(Yg=10-6),样品中氢含量较未掺硼时高出10%;当Yg=10-6到10-3变化时,H含量cH由28%线性减少到17%;在Yg=10-3时,H含量达极小值,此后,Yg增大,H含量随之增大.
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关 键 词: | 薄膜 硼 掺杂 氢含量 硅 半导体 |
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