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| PTCBaTiO3半导陶瓷介电迟豫特性 | |
| 引用本文： | 孔正坤,杨海.PTCBaTiO3半导陶瓷介电迟豫特性[J].云南师范大学学报(自然科学版),1999,19(2):22-27. |
| 作者姓名： | 孔正坤 杨海 |
| 摘 要： | 实验发现，掺Ｍｎ的ＰＴＣ钛酸钡样品损耗因子在样品的温度高于其居里点后，首先随温度缓慢变化，然后在某一温度处开始增大，其原因是：外场频率ω〈ω１（ε）时，ε１（ω）是ω的增函数，温度增加时，τ迅速下降，故Ｄ增加，由此可知，随着温度增加，Ｄ首先缓慢变化，然后在某一温度处，迅速增加。 |
| 关 键 词： | PTC 半导体陶瓷 介质损耗 介电常数 钛酸钡陶瓷 |
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