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| 金在氮化硅—硅界面的电学效应 | |
| 引用本文： | 李思渊 ,李寿嵩 ,王毓珍 ,张同军.金在氮化硅—硅界面的电学效应[J].兰州大学学报(自然科学版),1983(2). |
| 作者姓名： | 李思渊 李寿嵩 王毓珍 张同军 |
| 摘 要： | 我们研究了金在氮化硅—硅界面的电学效应及其热处理行为,并与金在二氧化硅—硅界面的情形做了比较。用能谱分析技术对氮化硅—硅结构进行了AES和XPS分析,得出了界面区域的组分、剖面分布、各组分结合能的变化及价带谱。发现自氮化硅表面直至硅侧,有N、Si、O、C、Au(扩Au片)等多种元素。在SiH_4—NH_3—N_2反应淀积的氮化硅—硅界面处存在着一个“氧包”,如图1所示,对界面性质有重要影响。同 |
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