| SOI自对准硅化钛工艺研究 |
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| 引用本文： | 石广源,王莉,宋哲,永福,张丽,王芳.SOI自对准硅化钛工艺研究[J].辽宁大学学报(自然科学版),2005,32(3):257-259. |
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| 作者姓名： | 石广源 王莉 宋哲 永福 张丽 王芳 |
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| 作者单位： | 辽宁大学,物理系,辽宁,沈阳,110036;东北微电子研究所,辽宁,沈阳,110032 |
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| 基金项目： | 沈阳市科委科研项目（1032029-2-06） |
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| 摘 要： | 阐述了SOI硅化钛的相关问题，采用两步快速热退火工艺形成低电阻的TiSi2，通过实验得出2次快速热退火的最佳时间和温度，形成良好的SOI自对准硅化钛工艺．
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| 关 键 词： | SOI 硅化钛 自对准工艺 |
| 文章编号： | 1000-5846（2005）03-0257-03 |
| 收稿时间： | 2004-11-22 |
| 修稿时间： | 2004-11-22 |
The Research on the Process of SOI Self-Aligned TiSi2 |
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| SHI Guang-yuan,WANG Li,SONG Zhe,Yong Fu,ZHANG Li,WANG Fang.The Research on the Process of SOI Self-Aligned TiSi2[J].Journal of Liaoning University(Natural Sciences Edition),2005,32(3):257-259. |
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| Authors: | SHI Guang-yuan WANG Li SONG Zhe Yong Fu ZHANG Li WANG Fang |
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| Abstract: | Some questions are discussed about SOI and TiSi2. Through the process of two - step rapid thermal annealing low resistance TiSi2 is formed. The optimal time and the temperature of two - step RTA are obtained, whrch forms the good process conditions of SOI self- aligned TiSi2. |
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| Keywords: | SOI TiSi2 self - alignment |
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