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| 调制增益导引GaAs／GaAIAs锁相激光器阵列的模式特… | |
| 引用本文： | 李佳云,孙昌盛.调制增益导引GaAs／GaAIAs锁相激光器阵列的模式特…[J].哈尔滨师范大学自然科学学报,1996,12(1):33-35. |
| 作者姓名： | 李佳云 孙昌盛 |
| 摘 要： | 首次利用液相外延，标准光刻工艺，两次质子轰击方法，研究和制作了调制增益导引ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ锁相激光器阵列。它是由六个激光器阵列元组成，调制增益是通过线性也发迹激光器条宽从３μｍ变化的到８μｍ，其间距保持常数为５μｍ实现的。 |
| 关 键 词： | 调制增益 GaAlAs 模式特性 半导体激光器 砷化镓 |
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