吸附于铜表面的一氧化碳的平衡位置、结合能和芯电子能级移动——简化的集团模型研究 |
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引用本文: | 吴汲安.吸附于铜表面的一氧化碳的平衡位置、结合能和芯电子能级移动——简化的集团模型研究[J].科学通报,1984,29(9):530-530. |
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作者姓名: | 吴汲安 |
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作者单位: | 中国科学院半导体研究所 北京 |
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摘 要: | 一、模型定量地研究原子(或分子)和固体表面之间的互作用,对于了解在表面上发生的吸附过程和化学反应极为重要。对一个真实的由吸附物和固体衬底组成的体系作精确的量子力学处理是不可能的,所以必须引入一些简化和近似,使这样一个多体体系可介。
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收稿时间: | 1983-10-11 |
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