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| 单层1T-VS2的电子结构和量子电容性质研究 | |
| 引用本文： | 李雯婷,王维华.单层1T-VS2的电子结构和量子电容性质研究[J].南开大学学报,2024(1):73-78. |
| 作者姓名： | 李雯婷 王维华 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(11874223,51871121)； |
| 摘 要： | 以石墨烯为代表的低维材料由于费米能级附近有限的态密度,导致量子电容较低,限制了其作为电极材料的超级电容器双电层电容的提升.采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,以1T-VS2为例,研究具有类石墨烯结构的准二维材料的量子电容的微观机理及其性能调控.研究结果表明,铁磁性的本征和含V空位缺陷的1T-VS2在零偏压处的量子电容为～300μF/cm2,远高于石墨烯.此外,含有V空位缺陷体系在负偏压区的高量子电容区间更加扩展,可以匹配更宽工作电压窗口的电解质材料,有利于提高能量密度. |
| 关 键 词： | 1T-VS2 电子结构 量子电容 本征缺陷 第一性原理计算 |