| Si亚微米MOSFET Monte carlo模拟中散射机制的研究 |
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| 引用本文： | 董立亭.Si亚微米MOSFET Monte carlo模拟中散射机制的研究[J].甘肃联合大学学报(自然科学版),2007,21(1):40-43,48. |
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| 作者姓名： | 董立亭 |
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| 作者单位： | 贵州大学,电子科学系,贵州,贵阳,550025 |
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| 摘 要： | 讨论了用Monte carlo法模拟半导Si内电子输运现象的散射机制,探讨并确定自由飞行时间的自散射方法,模拟电子在不同高场下的输运过程,并分析了速度过冲效应产生的原因.
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| 关 键 词： | Monte Carlo方法 自由飞行时间 散射机制 亚微米半导体器件 |
| 文章编号： | 1672-691X（2007）01-0040-05 |
| 收稿时间： | 2006-10-12 |
| 修稿时间： | 2006年10月12 |
Study on Scattering Mechanism in Submiron Si MOSFET Monte Carlo Simulation |
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| DONG Li-ting.Study on Scattering Mechanism in Submiron Si MOSFET Monte Carlo Simulation[J].Journal of Gansu Lianhe University :Natural Sciences,2007,21(1):40-43,48. |
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| Authors: | DONG Li-ting |
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| Abstract: | In this article, the author discusses the electronics transport process scattering mechanism in Si,probe in the self-sacttering methord to confirm the free-flight motion time. Then,the author simulates the electronics transport process in different high electric field ,and analyses the reasons of electronic velocity overshoot effect. |
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| Keywords: | monte carlo methord free-flight motion time scattering mechanism suhmiron semiconductor device |
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