| PCVD法渗6.5%Si的动力学问题研究 |
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| 引用本文： | 王蕾,周树青,吴新杰,李平生,高莹,陈大凯.PCVD法渗6.5%Si的动力学问题研究[J].武汉科技大学学报(自然科学版),2000,23(4):344-346. |
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| 作者姓名： | 王蕾 周树青 吴新杰 李平生 高莹 陈大凯 |
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| 作者单位： | 武汉科技大学材料与冶金学院,湖北,武汉,430081 |
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| 摘 要： | 提高硅铜片磁性能的最佳途径是提高钢片的硅含量。本研究采用等离子体化学气相沉积(PCVD)法，在(0．1～0．3)mm厚的普通硅钢片表面上涂硅，然后进行短时间高温扩散处理。结果表明：硅钢片的Si含量可达到6．5％，磁性能有很大改善。在(460-600)℃范围内渗硅，其它条件不变，渗硅速度随着温度的升高而降低，这是由等离子体反应的特殊动力学和热力学性质所决定。
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| 关 键 词： | 渗硅 PCVD法 动力学 磁性能 |
| 文章编号： | 1001-4985(2000)04-0344-03 |
| 修稿时间： | 2000年6月29日 |
Study on Dynamics of Silicon Infusion by PCVD Technique |
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| WANG Lei,ZHOU Shu-qing,WU Xin-jie,LI Ping-sheng,GAO Yin,CHEN Da-kai.Study on Dynamics of Silicon Infusion by PCVD Technique[J].Journal of Wuhan University of Science and Technology(Natural Science Edition),2000,23(4):344-346. |
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| Authors: | WANG Lei ZHOU Shu-qing WU Xin-jie LI Ping-sheng GAO Yin CHEN Da-kai |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon coating PCVD technique dynamics magnetic propertie |
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