| 非晶与单晶硅电解掺氢的研究 |
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| 引用本文： | 何晓英 潘炜. 非晶与单晶硅电解掺氢的研究[J]. 西华师范大学学报(哲学社会科学版), 1994, 15(2): 167-169 |
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| 作者姓名： | 何晓英 潘炜 |
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| 作者单位： | 四川师范学院化学系，北京大学 |
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| 摘 要： | 用电解方法在非晶硅中掺入了原子氢，使非晶硅中悬挂键的ＥＳＲ信号明显下降，相应悬键密度由２．５×１０￣（１８）ｃｍ￣（－３）下降为８×１０￣（１７）ｃｍ￣（－３）．并发现以Ｈ＿３ＰＯ＿４为电解液时，对作为阴极的非晶硅和Ｐ型单晶硅均有轻度的腐蚀作用，在Ｈ＿２ＳＯ＿４中电解，温度高达２２０℃，对硅也无腐蚀作用．
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| 关 键 词： | 氢 电解 非晶硅 单晶硅 |
A STUDY OF THE PROCESS OF HYDROGEN-ADULTERATED ELECTROLYSIS OF AMORPHOUS AND MONOCRYSTAL SILICON |
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| He Xiaoying. A STUDY OF THE PROCESS OF HYDROGEN-ADULTERATED ELECTROLYSIS OF AMORPHOUS AND MONOCRYSTAL SILICON[J]. Journal of China West Normal University:Natural Science Edition, 1994, 15(2): 167-169 |
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| Authors: | He Xiaoying |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | hydrogen electrolysis amorphous silicon monocrystal silicon |
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