| End-Hall源沉积类金刚石膜的实验 |
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| 引用本文： | 洪伟,赵友博,张铁群.End-Hall源沉积类金刚石膜的实验[J].南开大学学报,2008,41(1):1-4,9. |
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| 作者姓名： | 洪伟 赵友博 张铁群 |
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| 作者单位： | [1]航天科工集团三院8358所,天津300092 [2]南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071 |
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| 摘 要： | 介绍了采用End-Hall源沉积DLC膜的方法,在简单说明其工作原理的同时给出了实验的各项技术参数;通过对实验结果和DLC膜样品的分析,可看出用End-Hall源沉积方式能够消除RFCVD沉积方式所带来的边缘效应.
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| 关 键 词： | 类金刚石膜 End-Hall源 射频等离子放电沉积 边缘效应 |
| 文章编号： | 0465-7942（2008）01-0001-04 |
| 收稿时间： | 2007-05-20 |
| 修稿时间： | 2007年5月20日 |
Experiments on Depositing Diamond-like-carbon by Using Source End-Hall |
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| Hong Wei,Zhao Youbo,Zhang Tiequn.Experiments on Depositing Diamond-like-carbon by Using Source End-Hall[J].Acta Scientiarum Naturalium University Nankaiensis,2008,41(1):1-4,9. |
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| Authors: | Hong Wei Zhao Youbo Zhang Tiequn |
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| Abstract: | A depositing method of Diamond-like-Carbon by using Source End-Hall was introduced. Experimental results and analyses on the deposited DLC coating samples demonstrated that the brim effects introduced by RFCVD can be removed by Source End-Hall deposition method. |
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| Keywords: | DLC RFCVD source End-Hall brim effect |
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