| 用于非均匀掺杂MOS器件开启电压计算的改进方法 |
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| 引用本文： | 余志平,赵秀军. 用于非均匀掺杂MOS器件开启电压计算的改进方法[J]. 清华大学学报(自然科学版), 1988, 0(4) |
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| 作者姓名： | 余志平 赵秀军 |
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| 作者单位： | 微电子学研究所(余志平)，微电子学研究所 (赵秀军) |
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| 摘 要： | 提出一种改进了的计算衬底非均匀掺杂ＭＯＳ器件开启电压的算法。这种算法对增强 （Ｅ－）和耗尽（Ｄ－）型 ＭＯＳ器件都适用，且避免了对泊松方程的严格数值求解。所需 计算时间短，而精度足以满足计算机工艺模拟的一需要。本算法巳在ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ中实 现，取代了原程序中不正确的部分。模拟和测试结果相比较得到的一致性证实了该算法 是有效的。本文还对算法的理论基础进行了讨论。
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| 关 键 词： | 开启电压 耗尽型MOS 非均匀掺杂 工艺模拟 |
A Modified Algorithm for Evaluation of Threshold Voltage in MOSFET with Non-uniformly Doped Substrate |
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| Yu Zhiping,Zhao Xiujun. A Modified Algorithm for Evaluation of Threshold Voltage in MOSFET with Non-uniformly Doped Substrate[J]. Journal of Tsinghua University(Science and Technology), 1988, 0(4) |
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| Authors: | Yu Zhiping Zhao Xiujun |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | threshold voltage depletion MOS non-uniform doping process simulation |
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