|
|||||
|
|
| 氢化非晶硅的离子束淀积研究 | |
| 引用本文： | 王敬义.氢化非晶硅的离子束淀积研究[J].华中科技大学学报(自然科学版),1988(Z2). |
| 作者姓名： | 王敬义 |
| 作者单位： | 华中理工大学固体电子学系 |
| 摘 要： | 本文研究了影响离子束溅射淀积非晶硅薄膜的各种因素:真空室气氛,加速电压,衬底温度,几何位置及膜后处理;提出并论证了含氢等离子体对靶和薄膜的冶金效应是诸种因素中最直接和实质性因素的论点 |
| 关 键 词： | 离子束溅射 氢化非晶硅 加速电压 衬底温度 游离 分解 氢等离子体冶金效应 |
A Study of Hydrogenated Amorphous Silicon Prepared by Deposition with Ion Beam Sputtering |
|
| Wang Jingyi.A Study of Hydrogenated Amorphous Silicon Prepared by Deposition with Ion Beam Sputtering[J].JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE,1988(Z2). | |
| Authors: | Wang Jingyi |
| Institution: | Wang Jingyi |
| Abstract: | |
| Keywords: | Ion bean sputtering Hydrogenated amorphous silicon Accelerating voltage Substrate temperature Ionization Metallurgical effect of hydrogen plasma |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |