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新型功率器件MCT的模拟与制造
引用本文:周如培,周宝霞.新型功率器件MCT的模拟与制造[J].西安理工大学学报,1997,13(1):1-5.
作者姓名:周如培  周宝霞
作者单位:西安理工大学自动化与信息工程学院!西安,710048,西安理工大学自动化与信息工程学院!西安,710048,西安理工大学自动化与信息工程学院!西安,710048
基金项目:国家“八五”重点科技攻关项目
摘    要:介绍了新型功率器件MCT的基本特点与结构。利用开发出的MCT计算机辅助设计软件,模拟MCT的静态、动态特性,优化了MCT的结构参数。根据工艺模拟结果,编制MCT的制造工艺流程,研制出2.7A/5OOV的样片,其开通时间为200ns,关断时间为4μs。

关 键 词:功率器件  MOS控制晶闸管  模拟制造

Simulation and Fabrication of a New Power Device MCT
Zhou Rupei, Zhou Baoxia, Chen Zhiming.Simulation and Fabrication of a New Power Device MCT[J].Journal of Xi'an University of Technology,1997,13(1):1-5.
Authors:Zhou Rupei  Zhou Baoxia  Chen Zhiming
Abstract:
Keywords:power device MOS-controlled thyristor simulation fabrication
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录!
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