| 硅雪崩击穿冷微阴极的电子发射特性 |
| |
| 引用本文： | 李琼,袁美英,薛臻,汤世豪,徐静芳,张锻,吴俊雷.硅雪崩击穿冷微阴极的电子发射特性[J].上海师范大学学报(自然科学版),1992(3). |
| |
| 作者姓名： | 李琼 袁美英 薛臻 汤世豪 徐静芳 张锻 吴俊雷 |
| |
| 作者单位： | 华东师范大学电子科学技术系，华东师范大学电子科学技术系，华东师范大学电子科学技术系，华东师范大学电子科学技术系，华东师范大学电子科学技术系，上海真空电子器件股份有限公司，上海真空电子器件股份有限公司 |
| |
| 摘 要： | 制成高电子发射效率的稳定可靠的冷阴极是使真空微电子器件得以实现的关键。本文报导了硅超浅PN结雪崩击穿式冷阴极的结构和工作原理以及电子发射的测试结果。器件结构和工作原理冷阴极的基本结构如图1所示,图1中中心P~+N~(++)区是电子发射有源区。N~+环区为接触区。P~+和N~(++)区分别由硼和砷离子注入形成。硼注入条件为25KeV,1.5 E13cm~(-2)+60 KeV,1.5 E13cm~(-2)。硅片在B~+注入后放入900℃氮气中退火1小时,使硼离子得到有效激活。砷注入条件为10～12.5 KeV,5E14cm~(-2) ,注入后经1150℃、15秒快速热退火以使As离子得到有效激活而尽量减少杂质分布的变化。由此形成的N~(++)P~+结的结深约为300A。外加电压V_R通过N~+接触区和硅片底部加到N~(++)P~+结上。此外加电压极性使N~(++)P~+结反偏。当反偏电压V_R使N~(++)P~+结工作在雪崩击穿区时,
|
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
