| HFCVD法制备SiC薄膜工艺 |
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| 引用本文： | 赵武,王雪文,邓周虎,张志勇.HFCVD法制备SiC薄膜工艺[J].西北大学学报,2002,32(3):247-250. |
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| 作者姓名： | 赵武 王雪文 邓周虎 张志勇 |
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| 作者单位： | 西北大学电子科学系，陕西西安610069 |
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| 摘 要： | 分析研究了热丝化学汽相沉积（HFCVD）法工艺参数的变化对SiC薄膜质量的影响。结果表明，合理的选取工艺参数，可在较低温度（700－900℃）晶向异质生长出高质量的准晶SiC薄膜。
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| 关 键 词： | HFCVD法 SiC薄膜 低温生长 碳化硅薄膜 准晶 热丝化学汽相沉积法 制备工艺 半导体材料 |
| 文章编号： | 1000-274X(2002)03-0247-04 |
| 修稿时间： | 2001年3月19日 |
Influence of technics parameter of growth SiC films by HFCVD |
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| ZHAO Wu,WANG Xue-wen,DENG Zhou-hu,ZHANG Zhi-yong.Influence of technics parameter of growth SiC films by HFCVD[J].Journal of Northwest University(Natural Science Edition),2002,32(3):247-250. |
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| Authors: | ZHAO Wu WANG Xue-wen DENG Zhou-hu ZHANG Zhi-yong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | low temperature growth silicon carbide thin film hot filament method quasi-single-crystal |
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