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衬底温度对射频磁控溅射制备ZnO薄膜结构的影响
引用本文:付长凤,陈希明,韩连福. 衬底温度对射频磁控溅射制备ZnO薄膜结构的影响[J]. 天津理工大学学报, 2008, 24(4)
作者姓名:付长凤  陈希明  韩连福
作者单位:1. 天津理工大学电子信息与通信工程学院,天津,300191;大庆石油学院数学科学与技术学院,大庆,163318
2. 天津理工大学电子信息与通信工程学院,天津,300191
3. 天津理工大学自动化学院,天津,300191;大庆石油学院电子科学与技术学院,大庆,163318
基金项目:天津市自然科学基金,天津市自然科学基金 
摘    要:采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备ZnO薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对不同衬底温度下制备薄膜的相结构和表面形貌进行分析.结果表明,在衬底温度为400℃时制备的ZnO薄膜表面光滑,晶粒尺寸均匀,结构致密,且沿c轴择优生长.

关 键 词:ZnO薄膜  射频磁控溅射  衬底温度

Effect of substrate temperature on the structure of ZnO films prepared by RF magnetron sputtering
FU Chang-feng,CHEN Xi-ming,HAN Lian-fu. Effect of substrate temperature on the structure of ZnO films prepared by RF magnetron sputtering[J]. Journal of Tianjin University of Technology, 2008, 24(4)
Authors:FU Chang-feng  CHEN Xi-ming  HAN Lian-fu
Abstract:
Keywords:ZnO thin film  RF magnetron sputtering  substrate temperature
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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