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| C~ 注入Si中形成SiC的初步研究 | |
| 引用本文： | 吴春瑜,王颖,刘兴辉,黄和鸾.C~ 注入Si中形成SiC的初步研究[J].辽宁大学学报(自然科学版),2000(1). |
| 作者姓名： | 吴春瑜 王颖 刘兴辉 黄和鸾 |
| 作者单位： | 辽宁大学电子系!辽宁沈阳110036 |
| 基金项目： | 辽宁省科委自然科学基金，辽宁省教委自然基金 |
| 摘 要： | 将C 离子注入硅衬底,衬底温度约为400℃,C 离子引出电压为45keV注入剂量为5×1017cm-2.经高温退火形成碳化硅沉淀,利用X射线光电子能谱(XPS),俄歇电子能谱(AES)及傅立叶变换红外吸收光谱(FTIR),对所形成的碳化硅埋层作了初步的分析. |
| 关 键 词： | 碳化硅 离子束合成 能量损失谱 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |