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| 快速光热退火法制备多晶硅机理研究 | |
| 引用本文： | 魏晋军.快速光热退火法制备多晶硅机理研究[J].甘肃科技纵横,2011,40(2):36-36,78. |
| 作者姓名： | 魏晋军 |
| 作者单位： | 西北师范大学,知行学院,甘肃,兰州,730070 |
| 摘 要： | 本论述研究了非晶硅薄膜的快速光热退火技术,先利用PECVD法设备沉积非晶硅薄膜,然后放入快速光热退火炉中进行退火.退火前后的薄膜利用x射线衍射仪(XRD)测试其晶体结构;对不同退火温度下的系列样品测定了RXD谱图.研究表明退火温度、退火时间对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响,光波的频率和光照强度是起着主导作用. |
| 关 键 词： | 光热退火 多晶硅薄膜 晶粒尺寸 |
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