| Ar~ 离子注入对Ge/GaAs(100)异质结能带偏离影响的XPS研究 |
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| 引用本文： | 徐世红,刘先明,朱警生,麻茂生,张裕恒,徐彭寿,许振嘉. Ar~ 离子注入对Ge/GaAs(100)异质结能带偏离影响的XPS研究[J]. 中国科学技术大学学报, 1993, 0(4) |
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| 作者姓名： | 徐世红 刘先明 朱警生 麻茂生 张裕恒 徐彭寿 许振嘉 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学结构分析开放研究实验室(徐世红，刘先明，朱警生，麻茂生，张裕恒)，合肥国家同步辐射实验室(徐彭寿)，中国科学院半导体研究所(许振嘉) |
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| 基金项目： | 高等学校博士点专项基金 |
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| 摘 要： | 用X光电子能谱(XPS)方法研究了界面特性和Ge/GaAs(100)异质结的能带偏离关系。实验表明,当在清洁的GaAs(100)表面生长Ge异质结时,其价带偏离(△E_v)与界面特性无关,而在Ar离子注入的GaAs(100)表面上生长的Ge异质结,其价带偏离与Ar~ 离子的浓度分布有关。
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| 关 键 词： | 异质结 能带偏离 X光电子能谱 |
An XPS Study on the Effect of Ar~ Implanting on Ge/GaAs (100) Heterojunction Band Offsets |
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| Xu Shihong Liu Xianming Zhu Jingsheng Ma Maosheng Zhang Yuheng. An XPS Study on the Effect of Ar~ Implanting on Ge/GaAs (100) Heterojunction Band Offsets[J]. Journal of University of Science and Technology of China, 1993, 0(4) |
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| Authors: | Xu Shihong Liu Xianming Zhu Jingsheng Ma Maosheng Zhang Yuheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | heterojunction band offset XPS |
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