| C（膜）／S2（Si02）（纳米微粒）／C（膜）的XPS及Raman谱测试分析 |
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| 引用本文： | 邱晓燕,李建.C（膜）／S2（Si02）（纳米微粒）／C（膜）的XPS及Raman谱测试分析[J].西南师范大学学报(自然科学版),2003,28(2):230-233. |
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| 作者姓名： | 邱晓燕 李建 |
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| 作者单位： | 邱晓燕（西南师范大学,物理系,重庆,400715）;李建（西南师范大学,物理系,重庆,400715） |
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| 摘 要： | X射线光电子能谱测试(XPS)分析C(膜)／Si(Si02)(纳米微粒)／C(膜)样品发现：把400℃退火后的祥品继续加热到650℃并退火1h后，样品中除原有的Si晶体外，生成了SiC晶体，同时还出现了Si02晶体，这表明一部分Si与C反应生成SiC的同时，氧气的氧化作用占主导地位，把大部分Si氧化成了Si02．对比分析在650℃和750℃退火后祥品的Raman谱发现：随着加热温度的升高，SiC与Si含量增加而SiO2含量减少．这表明：在750℃时，C原于的还原作用继400℃后再次占主导地位，又把一部分Si02还原成Si．
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| 关 键 词： | C／S2（Si02）／C 碳膜 二氧化硅 碳纳米微粒 碳化硅 X射线光电子能谱 Raman谱 硅基发光材料 |
| 文章编号： | 1000-5471(2003)02-0230-04 |
| 修稿时间： | 2002年9月2日 |
The XPS And Raman Analysis of Annealed C (Film)/Si (SiO2)(Nanoparticles)/C
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