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| 基于Langmuir-Blodgett技术制备的二硫化钨可饱和吸收体在调Q固体激光器中的研究 | |
| 作者单位： | ;1.陕西师范大学物理学与信息技术学院 |
| 摘 要： | 基于Langmuir-Blodgett(LB)方法,研究了新型二硫化钨可饱和吸收体应用于Nd:GdVO_4晶体中实现了Q激光的输出.结果表明,通过LB技术在石英玻璃片上制备的二硫化钨可饱和吸收体表面均匀,有利用实现稳定调Q脉冲输出.通过调节谐振腔,在泵浦功率为5.1W时实现了最窄脉冲宽度为337ns的调Q激光输出,相对应的重复频率为614.8kHz,平均输出功率为811mW,斜效率达到36.1%. |
| 关 键 词： | LB技术 二硫化钨 可饱和吸收体 被动调Q激光器 |
Langmuir-Blodgett Tungsten Disulfide Saturable Absorber for Q-switched Solid State Laser |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |