| 离子束蚀刻硅片沟槽台阶形貌研究 |
| |
| 引用本文： | 张建民,王国瑞.离子束蚀刻硅片沟槽台阶形貌研究[J].陕西师范大学学报,1991(1). |
| |
| 作者姓名： | 张建民 王国瑞 |
| |
| 作者单位： | 陕西师范大学物理系，陕西省卫生防疫站 |
| |
| 摘 要： | 1 离子束蚀刻实验 1.1 样品制备取机械抛光的N型单晶硅片(1,1,1)作蚀刻样品,均匀涂上厚度为1μm的OMR-83光刻胶,利用集成电路制版技术,用曝光方法将光刻胶刻出宽度分别为15μm,10μm,5μm,长为2mm的长槽。
|
The study of step topography of grooves on silicon wafer durino ion beam etchino |
| |
| Zhang Jian min.The study of step topography of grooves on silicon wafer durino ion beam etchino[J].Journal of Shaanxi Normal University: Nat Sci Ed,1991(1). |
| |
| Authors: | Zhang Jian min |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | ion beam etching sputtering yield topography |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
