| 稀土离子在CdSiO3基质中的多光色长余辉发光 |
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| 引用本文： | 雷炳富,刘应亮,叶泽人,石春山.稀土离子在CdSiO3基质中的多光色长余辉发光[J].科学通报,2003,48(19). |
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| 作者姓名： | 雷炳富 刘应亮 叶泽人 石春山 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院长春应用化学研究所稀土化学与物理重点实验室,长春,130022;暨南大学化学系,广州,510632
2. 暨南大学化学系,广州,510632
3. 中国科学院长春应用化学研究所稀土化学与物理重点实验室,长春,130022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，广东省自然科学基金，中国科学院长春应用化学研究所稀土化学与物理重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 利用高温固相法合成了系列稀土离子掺杂的CdSiO3:RE3+(RE=Y,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu)多光色长余辉磷光体.XRD分析结果表明在1050℃下烧结3小时的产物为单相.稀土掺杂CdSiO3磷光体具有良好的发光性能.引入Y3+,La3+,Gd3+,Lu3+以及Ce3+,Nd3+,Ho3+,Er3+,Tm3+,Yb3+可获得一个最大发射中心位于420 nm附近的缺陷发光宽带,引入Pr3+,Sm3+,Eu3+,Tb3+,Dy3+时,除了产生约420 nm的蓝紫色缺陷发光外同时产生很强的稀土离子特征发光,这两种发光混合导致不同的余辉颜色.
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| 关 键 词： | 偏硅酸镉 稀土离子 发光材料 长余辉发光 |
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