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形变对InAs/GaAs量子点光学性质的影响
作者姓名:
宿星亮
张耕
摘 要:
在有效质量近似下,结合外场对材料性质的改变,并考虑压电电子学相关观点,从计算上研究了外场对闪锌矿InAs/GaAs量子点光学性质的影响,并与实验结果进行了比对.结果 表明:形变会导致量子点光吸收谱线强度降低,但吸收峰峰位向高频方向移动.考虑因形变增大而加强的压电势影响时,量子点的光吸收强度降低更加明显,向低能方向快速移...
关 键 词:
InAs/GaAs量子点
形变
温度
光吸收
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